Samsung 860 EVO MZ-76E2T0BSolid-State-Disk - 2 TB - SATA 6Gb/s

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Typ: Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache
Kapazität: 2 TB
Hardwareverschlüsselung: Ja
Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES

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  • Insight #: 0007662109
  • Hst.-Art.-Nr.:

    MZ-76E2T0B/EU

  • UNSPSC: 43201830

Überblick

Produktbeschreibung

Der Nachfolger der weltweit extrem erfolgreichen 850-EVO- Serie ist die Samsung SSD 860 EVO. Das Laufwerk wurde speziell für Notebooks und PCs konzipiert, basiert auf der neuesten V-NAND Speichertechnologie und einem auf die Verarbeitung spezieller Algorithmen optimierten Controller. Das SSD-Modell bietet dadurch eine sehr hohe Leistung.

Spezifikation

Samsung 860 EVO MZ-76E2T0B - Solid-State-Disk - 2 TB - SATA 6Gb/s
Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache
Kapazität 2 TB
Hardwareverschlüsselung Ja
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
Formfaktor 2.5" (6.4 cm)
Schnittstelle SATA 6Gb/s
Datenübertragungsrate 600 MBps
Puffergrösse 2 GB
Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 6.985 cm x 10 cm x 0.68 cm
Gewicht 62 g
Herstellergarantie 5 Jahre Garantie


Erweiterte Merkmale

Allgemein
Breite 6.985 cm
Formfaktor 2.5" (6.4 cm)
Gerätetyp Solid-State-Disk - intern
Gewicht 62 g
Hardwareverschlüsselung Ja
Höhe 0.68 cm
Kapazität 2 TB
Merkmale TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
Puffergröße 2 GB
Schnittstelle SATA 6Gb/s
Tiefe 10 cm
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld 2.5" (6.4 cm)
Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s
Herstellergarantie
Service & Support Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Leistung
4 KB Random Read 10000 IOPS
4 KB Random Write 42000 IOPS
Interner Datendurchsatz 550 MBps (lesen)/ 520 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Read 98000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write 90000 IOPS
SSD-Leistung 1200 TB
Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen Samsung Magician Software
Stromversorgung
Energieverbrauch 3 Watt (Durchschnitt) ¦ 4 Watt (Maximum)
Umgebungsbedingungen
Max. Betriebstemperatur 70 °C
Min Betriebstemperatur 0 °C
Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Verschiedenes
Kennzeichnung WWN, IEEE 1667
Zuverlässigkeit
MTBF 1,500,000 Stunden

Kundenlizenzinformationen

Programmbezeichnung:

Registrierungsnummer:

Rahmenvertragsnummer:

Ablaufdatum:

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