Samsung 860 EVO MZ-N6E1T0BWSolid-State-Disk - 1 TB - SATA 6Gb/s

€166,95  exkl MwSt
€200,34  inkl MwSt

Bestand

18 verfügbar
Typ: Solid-State-Disk - intern - stoßfest, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology
Kapazität: 1 TB
Hardwareverschlüsselung: Ja
Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES

Benötigen Sie Hilfe bei der Bestellung?
Rufen Sie uns an 07 20700 285

  • Insight #: 0007662237
  • Hst.-Art.-Nr.:

    MZ-N6E1T0BW

  • UNSPSC: 43201830

Überblick

Produktbeschreibung

Der Nachfolger der weltweit extrem erfolgreichen 850-EVO- Serie ist die Samsung SSD 860 EVO. Das Laufwerk wurde speziell für Notebooks und PCs konzipiert, basiert auf der neuesten V-NAND Speichertechnologie und einem auf die Verarbeitung spezieller Algorithmen optimierten Controller. Das SSD-Modell bietet dadurch eine sehr hohe Leistung.

Spezifikation

Samsung 860 EVO MZ-N6E1T0BW - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA 6Gb/s
Typ Solid-State-Disk - intern - stoßfest, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology
Kapazität 1 TB
Hardwareverschlüsselung Ja
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle SATA 6Gb/s
Datenübertragungsrate 600 MBps
Puffergrösse 1 GB
Merkmale Stoßfest, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Gewicht 8 g
Herstellergarantie 5 Jahre Garantie


Erweiterte Merkmale

Allgemein
Breite 22.15 mm
Formfaktor M.2 2280
Gerätetyp Solid-State-Disk - intern
Gewicht 8 g
Hardwareverschlüsselung Ja
Höhe 2.38 mm
Kapazität 1 TB
Merkmale Stoßfest, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
Puffergröße 1 GB
Schnittstelle SATA 6Gb/s
Tiefe 80.15 mm
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld M.2 2280
Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
Herstellergarantie
Service & Support Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Leistung
Interner Datendurchsatz 550 MBps (lesen)/ 520 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Read 97000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write 88000 IOPS
SSD-Leistung 600 TB
Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern)
Stromversorgung
Energieverbrauch 3 Watt (Durchschnitt) ¦ 4.5 Watt (Maximum)
Umgebungsbedingungen
Max. Betriebstemperatur 70 °C
Min Betriebstemperatur 0 °C
Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Zuverlässigkeit
MTBF 1,500,000 Stunden

Kundenlizenzinformationen

Programmbezeichnung:

Registrierungsnummer:

Rahmenvertragsnummer:

Ablaufdatum:

Verträge anzeigen

Ähnliche Produkte finden

Falls dieses Produkt nicht Ihrer Suche entpricht, können Sie ähnliche Produkte finden, indem Sie die entsprechenden Eigenschaften unten auswählen und auf den Button 'Suchen' klicken.

Ähnliche Produkte finden