Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BWSolid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)

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Typ: Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Kapazität: 1 TB
Hardwareverschlüsselung: Ja
Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES

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  • Insight #: 0008712502
  • Hst.-Art.-Nr.:

    MZ-V7S1T0BW

  • UNSPSC: 43201830

Überblick

Produktbeschreibung

So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.

Spezifikation

Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Kapazität 1 TB
Hardwareverschlüsselung Ja
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Puffergrösse 1 GB
Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Gewicht 8 g
Herstellergarantie 5 Jahre Garantie


Erweiterte Merkmale

Allgemein
Breite 22.15 mm
Formfaktor M.2 2280
Gerätetyp Solid-State-Disk - intern
Gewicht 8 g
Hardwareverschlüsselung Ja
Höhe 2.38 mm
Kapazität 1 TB
Merkmale TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell)
Puffergröße 1 GB
Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Tiefe 80.15 mm
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld M.2 2280
Schnittstellen PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Herstellergarantie
Service & Support Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Leistung
4 KB Random Read 19000 IOPS
4 KB Random Write 60000 IOPS
Interner Datendurchsatz 3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Read 600000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write 550000 IOPS
SSD-Leistung 600 TB
Stromversorgung
Energieverbrauch 6 Watt (Durchschnitt) ¦ 9 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum)
Umgebungsbedingungen
Max. Betriebstemperatur 70 °C
Min Betriebstemperatur 0 °C
Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Verschiedenes
Kennzeichnung IEEE 1667
Zuverlässigkeit
MTBF 1,500,000 Stunden

Kundenlizenzinformationen

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Ablaufdatum:

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